[发明专利]一种具有反射电流阻挡层的LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种具有反射电流阻挡层的LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，在所述衬底上依次形成发光结构，其中，所述发光结构包括依次形成的N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层；

对所述发光结构进行刻蚀，形成贯穿所述P型氮化镓层和有源层并延伸至所述N型氮化镓层的第一通孔；

在所述P型氮化镓层表面依次形成金属反射层和电流阻挡层；

对所述金属反射层和电流阻挡层进行刻蚀，形成贯穿所述金属反射层和电流阻挡层并延伸至所述P型氮化镓层中的第二通孔；

在所述电流阻挡层表面及第二通孔形成透明导电层，在所述透明导电层表面及第一通孔侧壁形成钝化层；

对所述钝化层和透明导电层进行刻蚀，形成在金属反射层垂直方向上贯穿所述钝化层和透明导电层的第三通孔，并在所述第一通孔填充金属形成N型电极，在所述第三通孔填充金属形成P型电极；

在所述第一衬底背离有源层一侧形成布拉格反射层。

2.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，在形成所述金属反射层后，且形成所述电流阻挡层前，所述制作方法还包括：

将所述衬底放置在氮气环境中进行高温退火，形成良好的欧姆接触。

3.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，在形成所述透明导电层后，且形成所述钝化层前，所述制作方法还包括：

将所述衬底放置在氮气环境中进行高温退火，形成高致密性、膜层均匀的透明导电层和良好的欧姆接触。

4.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述P型电极的面积小于等于所述电流阻挡层的面积。

5.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，在形成所述电极后，且形成所布拉格反射层前，所述制作方法还包括：

对所述衬底背离所述有源层一侧进行研磨、抛光减薄。

6.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，采用电子束蒸发或磁控溅射的工艺在所述衬底背离有源层一侧形成所述布拉格反射层。

7.根据权利要求6所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述布拉格反射层具有高钝化性能和高反射性能。

8.一种具有反射电流阻挡层的LED芯片，其特征在于，所述具有反射电流阻挡层的LED芯片采用权利要求1~7中任意一项所述的制作方法制作而成。