[发明专利]制备透射电镜样品的方法在审
申请号: | 201611170475.0 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN106596225A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 高慧敏;张顺勇;汤光敏;卢勤 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G01N1/28 | 分类号: | G01N1/28 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅,李时云 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种制备透射电镜样品的方法,包括提供待观测芯片,所述待观测芯片包含一待观测区域;对所述待观测芯片的正面和/或背面进行减薄,得到初样;将一空心环固定在所述初样正面,所述待观测区域位于所述空心环内;通过干法刻蚀对所述初样进行减薄,得到透射电镜样品。在本发明提供的制备透射电镜样品的方法中,将一空心环固定在减薄处理后的初样上,通过空心环来确定待观测区域,再通过干法刻蚀所述减薄后的初样,从而制备成适合透射电镜观测的样品,形成超大面积的观测区域,满足相关案例需求,填补失效分析技术空白,提高工作效率。 | ||
搜索关键词: | 制备 透射 样品 方法 | ||
【主权项】:
一种制备透射电镜样品的方法,其特征在于,所述制备透射电镜样品的方法包括:提供待观测芯片,所述待观测芯片包含一待观测区域;对所述待观测芯片的正面和/或背面进行减薄,得到初样;将一空心环固定在所述初样正面,所述待观测区域位于所述空心环内;通过干法刻蚀对所述初样进行减薄,得到透射电镜样品。
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