[发明专利]制备透射电镜样品的方法在审

专利信息
申请号: 201611170475.0 申请日: 2016-12-16
公开(公告)号: CN106596225A 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 高慧敏;张顺勇;汤光敏;卢勤 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: G01N1/28 分类号: G01N1/28
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 屈蘅,李时云
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种制备透射电镜样品的方法,包括提供待观测芯片,所述待观测芯片包含一待观测区域;对所述待观测芯片的正面和/或背面进行减薄,得到初样;将一空心环固定在所述初样正面,所述待观测区域位于所述空心环内;通过干法刻蚀对所述初样进行减薄,得到透射电镜样品。在本发明提供的制备透射电镜样品的方法中,将一空心环固定在减薄处理后的初样上,通过空心环来确定待观测区域,再通过干法刻蚀所述减薄后的初样,从而制备成适合透射电镜观测的样品,形成超大面积的观测区域,满足相关案例需求,填补失效分析技术空白,提高工作效率。
搜索关键词: 制备 透射 样品 方法
【主权项】:
一种制备透射电镜样品的方法,其特征在于,所述制备透射电镜样品的方法包括:提供待观测芯片,所述待观测芯片包含一待观测区域;对所述待观测芯片的正面和/或背面进行减薄,得到初样;将一空心环固定在所述初样正面,所述待观测区域位于所述空心环内;通过干法刻蚀对所述初样进行减薄,得到透射电镜样品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司,未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611170475.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top