[发明专利]制备透射电镜样品的方法在审
| 申请号： | 201611170475.0 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106596225A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 高慧敏;张顺勇;汤光敏;卢勤 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 透射 样品 方法 | ||
1.一种制备透射电镜样品的方法，其特征在于，所述制备透射电镜样品的方法包括：
提供待观测芯片，所述待观测芯片包含一待观测区域；
对所述待观测芯片的正面和/或背面进行减薄，得到初样；
将一空心环固定在所述初样正面，所述待观测区域位于所述空心环内；
通过干法刻蚀对所述初样进行减薄，得到透射电镜样品。
2.根据权利要求1所述制备透射电镜样品的方法，其特征在于，采用研磨和/或刻蚀的方式对所述待观测芯片的正面和/或背面进行减薄。
3.根据权利要求1所述制备透射电镜样品的方法，其特征在于，通过干法刻蚀对所述初样进行减薄包括：
将所述初样的正面朝上放入快速反应等离子体蚀刻机台中，使用快速去除硅工艺对所述初样进行减薄。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述制备透射电镜样品的方法，其特征在于，所述空心环内面积为1mm2～4mm2。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述制备透射电镜样品的方法，其特征在于，所述空心环通过热凝胶固定在所述初样正面。
6.根据权利要求1至3中任意一项所述制备透射电镜样品的方法，其特征在于，所述空心环的材料为铜。
7.根据权利要求1至3中任意一项所述制备透射电镜样品的方法，其特征在于，所述待观测芯片包括衬底及位于所述衬底上的结构层，其中，所述衬底靠近所还是待观测芯片的背面，所述结构层靠近所述待观测芯片的正面。
8.根据权利要求7所述制备透射电镜样品的方法，其特征在于，在减薄所述初样之前，还包括：测量所述初样衬底的厚度。
9.根据权利要求8所述制备透射电镜样品的方法，其特征在于，通过扫描电镜测量所述初样衬底的厚度。
10.根据权利要求7所述制备透射电镜样品的方法，其特征在于，对所述待观测芯片的正面和/或背面进行减薄，得到初样包括衬底，所述衬底的厚度为0～600nm。
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