[发明专利]具有可选择像素密度的全晶片检测方法

摘要

本发明涉及具有可选择像素密度的全晶片检测方法。本发明公开用于半导体晶片的全晶片检测方法。一种方法包括同时在半导体晶片的整个表面的测量部位上以最大测量部位像素密度ρmax进行选择测量参数的测量以获得测量数据，其中以最大测量部位像素密度ρmax获得的测量部位像素的总数在104与108之间。该方法亦包括定义半导体晶片的表面的多个分区，其中该多个分区中的每一者具有测量部位像素密度ρ，其中该多个分区中的至少两者具有不同尺寸的测量部位像素且因此具有不同测量部位像素密度ρ。该方法亦包括基于多分区及对应测量部位像素密度ρ而处理测量数据。该经处理测量数据可用于对用以在半导体晶片上形成器件的程序进行统计处理控制。

主权项

一种检测具有表面及直径D的半导体晶片的方法，其包含：a)同时在半导体晶片的整个表面的测量部位上以最大测量部位像素密度ρmax进行选择测量参数的测量以获得测量数据，其中以最大测量部位像素密度ρmax获得的测量部位像素的总数在104与108之间；b)定义半导体晶片的表面的多个分区，其中分区中的每一分区具有测量部位像素密度ρ，其中分区中的至少两个分区具有不同尺寸的测量部位像素且因此具有不同的测量部位像素密度ρ；及c)基于多个分区及对应的测量部位像素密度ρ来处理测量数据。