[发明专利]具有可选择像素密度的全晶片检测方法

权利要求书

1.一种检测具有表面及直径D的半导体晶片的方法，其包含：

a)同时在半导体晶片的整个表面的测量部位上以最大测量部位像素密度ρ_max进行选择测量参数的测量以获得测量数据，其中以最大测量部位像素密度ρ_max获得的测量部位像素的总数在10⁴与10⁸之间；

b)定义半导体晶片的表面的多个分区，其中分区中的每一分区具有测量部位像素密度ρ，其中分区中的至少两个分区具有不同尺寸的测量部位像素且因此具有不同的测量部位像素密度ρ；及

c)基于多个分区及对应的测量部位像素密度ρ来处理测量数据。

2.如权利要求1所述的方法，其中选择测量参数是选自由以下各者组成的参数群组：表面构形、表面曲率、斜率、器件产率、表面移位及应力。

3.如权利要求1所述的方法，其中多个分区中的至少一个分区具有等于最大测量部位像素密度ρ_max的测量部位像素密度ρ。

4.如权利要求1所述的方法，其中多个分区中的至少一个分区为具有实质上等于半导体晶片的直径D的外径且具有在0.03D与0.2D之间的环形宽度的环形分区。

5.如权利要求4所述的方法，其中环形宽度在0.05D与0.15D之间。

6.如权利要求1所述的方法，其进一步包含在半导体晶片的表面上使用测量参数的变化来定义分区。

7.如权利要求1所述的方法，其中多个分区定义于半导体晶片的表面的子区内，且其中子区在半导体晶片的表面上重复。

8.如权利要求7所述的方法，其中子区表示晶粒、晶粒的一部分及光刻区域中的至少一个。

9.如权利要求1所述的方法，其中半导体晶片包括含有缺陷的器件，且其中缺陷中的至少一个缺陷通过选择测量参数中的超过容限的改变来表明，该改变是相对于选择测量参数的参考值所测量的。

10.如权利要求1所述的方法，更包含使用来自至少一个先前处理的半导体晶片的测量数据来选择多个分区及对应的测量部位像素密度ρ。

11.如权利要求1所述的方法，其中测量部位像素密度ρ经选择，以使得测量部位像素的总数相较于使用最大测量部位像素密度ρ_max所获得的测量部位像素的数目减少，以达成处理时间的选择减少。

12.如权利要求11所述的方法，其中处理时间减少至少10％。

13.如权利要求1所述的方法，其中使用干涉测量法来执行进行测量的动作a)。

14.如权利要求13所述的方法，其中干涉测量法包含相干梯度感测干涉测量法。

15.一种检测半导体晶片的方法，半导体晶片具有表面、直径D及形成于其上的器件，方法包含：

a)使用相干梯度感测干涉计，同时在半导体晶片的整个表面的测量部位上以最大测量部位像素密度ρ_max进行选择测量参数的测量以获得测量数据，其中以最大测量部位像素密度ρ_max获得的测量部位像素的总数在10⁴与10⁸之间；

b)使用形成于半导体晶片上的器件的性能的产率地图，定义半导体晶片的表面的多个分区，其中分区中的每一分区具有测量部位像素密度ρ，其中分区中的至少两个分区具有不同尺寸的测量部位像素且因此具有不同的测量部位像素密度ρ；

c)基于多个分区及对应的测量部位像素密度ρ而处理测量数据。

16.如权利要求15所述的方法，其中使用半导体处理来形成器件，且该方法进一步包含使用动作c)的经处理的测量数据来调整半导体处理。

17.如权利要求15所述的方法，其中选择测量参数是选自由以下各者组成的参数群组：表面构形、表面曲率、斜率、器件产率、表面移位及应力。

18.如权利要求15所述的方法，其中多个分区中的至少一个分区具有等于最大测量部位像素密度ρ_max的测量部位像素密度ρ且包括产率地图的包括最低产率的区。