[发明专利]一种基于纳米颗粒的光伏电池表面陷光结构的制造工艺在审
申请号: | 201611168608.0 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN106601836A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 王珺;郭群超;朱红英;丁云飞;朱晨烜 | 申请(专利权)人: | 上海电机学院 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;B82Y30/00 |
代理公司: | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司31227 | 代理人: | 俞晨波 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于纳米颗粒的光伏电池表面陷光结构的制造工艺,包括如下步骤1)采用二氧化硅制作自组装掩模版,并将正酸乙酯和乙醇溶液混合,在自组装掩模版制作出二氧化硅纳米颗粒自组装掩模版;2)二氧化硅纳米颗粒自组装掩模版,对已经扩散好PN的硅片进行刻蚀,再在硅片的表面进行陷光结构的刻蚀,以制作硅微米柱阵列。本发明降低了反应离子刻蚀法的成本,并通过混合酸溶液的修饰大量减少了刻蚀后缺陷,使得硅柱既能成为良好的陷光结构,又不会使表面刻蚀缺陷激增,从而降低的光伏电池的反射率,增加了电池的光生电流。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 纳米 颗粒 电池 表面 结构 制造 工艺 | ||
【主权项】:
一种基于纳米颗粒的光伏电池表面陷光结构的制造工艺,其特征在于,包括如下步骤:1)采用二氧化硅制作自组装掩模版,并将正酸乙酯和乙醇溶液混合,在自组装掩模版制作出二氧化硅纳米颗粒自组装掩模版;2)二氧化硅纳米颗粒自组装掩模版,对已经扩散好PN的硅片进行刻蚀,再在硅片的表面进行陷光结构的刻蚀,以制作硅微米柱阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海电机学院,未经上海电机学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611168608.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的