[发明专利]AlN上的欧姆接触电极结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201611168095.3 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN108206132A | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 张纪才;李雪威;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/45 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在AlN上形成的欧姆接触电极结构及其制作方法。在一些实施方案中，一种在AlN上制作欧姆接触电极结构的方法包括：在的AlN基材上形成金属电极结构，获得AlN/金属接触结构；以及，直接将所述AlN/金属接触结构置入保护性气氛中进行高温退火，从而使金属电极结构与AlN基材之间形成欧姆接触。与现有技术相比，本发明采用在AlN上先蒸镀金属电极结构然后再进行高温退火，即可在AlN上形成欧姆接触，工艺简单，成本低廉，易于规模化实施。 | ||
| 搜索关键词： | 金属电极结构 欧姆接触电极 金属接触结构 高温退火 欧姆接触 基材 制作 规模化 蒸镀 置入 | ||
【主权项】：
1.在AlN上制作欧姆接触电极结构的方法，其特征在于包括：在AlN基材上形成金属电极结构，获得AlN/金属接触结构；以及，直接将所述AlN/金属接触结构置入保护性气氛中并在800～1000℃进行退火，从而使金属电极结构与AlN基材之间形成欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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