[发明专利]AlN上的欧姆接触电极结构及其制作方法

权利要求书

1.在AlN上制作欧姆接触电极结构的方法，其特征在于包括：

在AlN基材上形成金属电极结构，获得AlN/金属接触结构；

以及，直接将所述AlN/金属接触结构置入保护性气氛中并在800～1000℃进行退火，从而使金属电极结构与AlN基材之间形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的在AlN上制作欧姆接触电极结构的方法，其特征在于包括：至少通过电子束蒸发方式、磁控溅射方式和原子层沉积方式中的任意一种方式或两种以上方式的组合在AlN基材上形成作为金属电极结构的多层金属结构；优选的，所述多层金属结构包括Ti层、Al层、Ni层、Au层、V层和Pb层中的任意两者以上的组合；优选的，所述Ti层的厚度为5～50nm，尤其优选为15～35nm；优选的，所述Al层的厚度为10～180nm，尤其优选为110～130nm；优选的，所述Ni层的厚度为10～80nm，尤其优选为40～60nm；优选的，所述Au层的厚度为10～150nm，尤其优选为100～150nm；优选的，所述V层的厚度为5～50nm；优选的，所述Pb层的厚度为10～50nm。

3.根据权利要求1所述的在AlN上制作欧姆接触电极结构的方法，其特征在于具体包括：

提供AlN基材；

在所述AlN基材上设置对应于所述金属电极结构的光刻胶掩膜图形；

在所述AlN基材上蒸镀形成金属电极结构，并除去余留光刻胶，获得所述AlN/金属接触结构；

将所述AlN/金属接触结构在保护性气氛中于800～950℃退火30～120s，从而使所述金属电极结构与AlN基材之间形成欧姆接触。

4.根据权利要求1或3所述的在AlN上制作欧姆接触电极结构的方法，其特征在于：所述保护性气氛包括氮气和/或惰性气体气氛。

5.根据权利要求1或3所述的在AlN上制作欧姆接触电极结构的方法，其特征在于包括：至少通过HVPE、MOCVD或MBE中的任意一种方式或两种以上方式的组合在衬底上生长作为所述AlN基材的AlN薄膜材料；优选的，所述衬底包括蓝宝石衬底、SiC衬底、Si衬底或GaN衬底；优选的，所述AlN薄膜材料的厚度为3～400μm，尤其优选为3～10μm。

6.根据权利要求2所述的在AlN上制作欧姆接触电极结构的方法，其特征在于还包括：先在所述AlN基材上设置对应于所述金属电极结构的光刻胶掩膜图形，并除去所述AlN基材上可能存在的氧化层，之后在在所述AlN基材上蒸镀形成所述金属电极结构。

7.在AlN上形成的欧姆接触电极结构，其特征在于包括：AlN基材；以及，直接形成在所述AlN基材上的金属电极结构；并且所述金属电极结构与AlN基材之间形成欧姆接触。

8.根据权利要求7所述的在AlN上形成的欧姆接触电极结构，其特征在于：所述金属电极结构的材质包括Ti、Al、Ni、Au、V、Pb中的任意一种或多种的组合。

9.根据权利要求7或8所述的在AlN上形成的欧姆接触电极结构，其特征在于：所述金属电极结构包括至少通过电子束蒸发方式、磁控溅射方式和原子层沉积方式中的任意一种方式或两种以上方式的组合形成在所述AlN基材上的多层金属结构；优选的，所述多层金属结构包括Ti层、Al层、Ni层、Au层、V层和Pb层中的任意两者以上的组合；优选的，所述Ti层的厚度为5～50nm，尤其优选为15～35nm；优选的，所述Al层的厚度为10～180nm，尤其优选为110～130nm；优选的，所述Ni层的厚度为10～80nm，尤其优选为40～60nm；优选的，所述Au层的厚度为10～150nm，尤其优选为100～150nm；优选的，所述V层的厚度为5～50nm；优选的，所述Pb层的厚度为10～50nm。

10.根据权利要求7所述的在AlN上形成的欧姆接触电极结构，其特征在于：所述AlN基材选自生长在衬底上的AlN薄膜材料；优选的，所述衬底包括蓝宝石衬底、SiC衬底、Si衬底或GaN衬底；优选的，所AlN薄膜材料的厚度为3～400μm，尤其优选为3～10μm。