[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201611165780.0 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN108206137A | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 高金字;王崇旭 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管的制造方法包括下列步骤：在基板上形成栅极；形成绝缘层，以覆盖栅极；在绝缘层上形成具有相对的第一区与第二区的半导体图案；形成多个岛状图案，至少部分的多个岛状图案配置于半导体图案上，多个岛状图案彼此分离且彼此之间存在间隙；形成源极与漏极，覆盖部分的多个岛状图案且填入间隙，以分别与半导体图案的第一区及第二区电性连接。本发明的薄膜晶体管的制造方法能制造出尺寸小且电性佳的薄膜晶体管，且本发明的薄膜晶体管尺寸小且电性佳。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 岛状图案 半导体图案 绝缘层 制造 第一区 电性 彼此分离 电性连接 覆盖 基板 漏极 填入 源极 配置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成栅极；形成绝缘层，以覆盖所述栅极；在所述绝缘层上形成半导体图案，所述半导体图案具有相对的第一区与第二区；形成多个岛状图案，至少部分的所述多个岛状图案配置于所述半导体图案上，所述多个岛状图案彼此分离且彼此之间存在间隙；以及形成源极与漏极，覆盖部分的所述多个岛状图案且填入所述间隙，以分别与所述半导体图案的所述第一区及所述第二区电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
