[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成栅极；

形成绝缘层，以覆盖所述栅极；

在所述绝缘层上形成半导体图案，所述半导体图案具有相对的第一区与第二区；

形成多个岛状图案，至少部分的所述多个岛状图案配置于所述半导体图案上，所述多个岛状图案彼此分离且彼此之间存在间隙；以及

形成源极与漏极，覆盖部分的所述多个岛状图案且填入所述间隙，以分别与所述半导体图案的所述第一区及所述第二区电性连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成所述多个岛状图案的方法包括半沉积法。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成每一个岛状图案的高度的速率大于0埃/秒且小于或等于10埃/秒。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成所述多个岛状图案的方法包括等离子体辅助化学气相沉积法，所述等离子体辅助化学气相沉积法所使用的气体包括硅烷以及氮氧化物，所述等离子体辅助化学气相沉积法的制程参数包括所述硅烷的流量介于80sccm至1600sccm、所述氮氧化物的流量介于5000sccm至65000sccm、射频功率介于80瓦特至2300瓦特、压力介于0.4毫巴至0.6毫巴或介于750毫托至1450毫托以及温度介于摄氏220度至350度。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述多个岛状图案随机地分布在所述半导体图案的所述第一区及所述第二区上。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述多个岛状图案的尺寸不一致。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成所述多个岛状图案的方法包括化学气相沉积法，而所述化学气相沉积法包括：

于所述半导体图案与气体源之间配置遮蔽板，所述遮蔽板具有多个孔洞，所述气体源输出的气体通过所述遮蔽板的所述多个孔洞而于所述半导体图案上形成与所述多个孔洞对应的所述多个岛状图案。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述半导体图案还具有连接于所述第一区与所述第二区之间的第三区，所述多个岛状图案还形成在所述半导体图案的所述第三区以及被所述半导体图案暴露的部分所述绝缘层上。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成所述源极与所述漏极的方法包括：

形成导电层，以覆盖所述多个岛状图案、所述半导体图案的所述第一区、所述第二区及所述第三区与被所述半导体图案暴露的所述部分的绝缘层；以及

利用湿式蚀刻工序图案化所述导电层，以形成分别覆盖所述半导体图案的所述第一区及所述第二区且暴露所述第三区的所述源极与所述漏极，其中在形成所述源极与所述漏极的同时，位于所述半导体图案的所述第三区及所述部分绝缘层上的另一部分的所述多个岛状图案被保留。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成所述源极与所述漏极的方法包括：

形成导电层，以覆盖所述多个岛状图案、所述半导体图案的所述第一区、所述第二区及所述第三区与被所述半导体图案暴露的所述部分的绝缘层；以及

利用干式蚀刻工序图案化所述导电层，以形成分别覆盖所述半导体图案的所述第一区及所述第二区且暴露所述第三区的所述源极与所述漏极，其中在形成所述源极与所述漏极的同时，位于所述半导体图案的所述第三区及被所述半导体图案、所述源极与所述漏极暴露的所述部分绝缘层上的另一部分的所述多个岛状图案被移除。

11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，另一部分的所述多个岛状图案配置于所述半导体图案的两旁且位于所述绝缘层上，而所述源极与所述漏极还覆盖所述另一部分的所述多个岛状图案。