[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611153469.4 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN106920833B | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 中山达峰;宫本广信;冈本康宏 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;张昊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及其制造方法。其中MISFET形成为包括：共掺杂层，形成在衬底之上并且具有n型半导体区域和p型半导体区域；以及栅电极，经由栅极绝缘膜形成在共掺杂层之上。共掺杂层包含的p型杂质Mg的量大于n型杂质Si的量。因此，通过源于p型杂质(这里为Mg)的载体(空穴)来取消源于共掺杂层中的n型杂质(这里为Si)的载体(电子)，从而允许将共掺杂层用作p型半导体区域。通过将氢引入共掺杂层中的将要形成有n型半导体区域的区域来灭活Mg，从而使得该区域用作n型半导体区域。通过如此将氢引入到共掺杂层，可以在同一层中形成p型半导体区域和n型半导体区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：氮化物半导体层，形成在衬底之上并且具有n型半导体区域和p型半导体区域，其中所述氮化物半导体层具有p型杂质和n型杂质，并且其中在所述氮化物半导体层中，所述p型杂质的浓度大于所述n型杂质的浓度。
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