[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611153469.4 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN106920833B | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 中山达峰;宫本广信;冈本康宏 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;张昊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
(a)在衬底之上形成包含p型杂质和n型杂质的氮化物半导体层；以及
(b)将氢引入到所述氮化物半导体层的第一区域中，
其中通过步骤(b)允许将所述第一区域用作n型半导体区域，并且所述步骤(b)是通过执行热处理使氢从形成在所述第一区域之上且包含氢的膜扩散到所述第一区域中的步骤；以及
(c)移除包含氢的所述膜，
其中在所述氮化物半导体层中，所述p型杂质的浓度大于所述n型杂质的浓度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，
其中在所述步骤(b)中，氢不被引入所述氮化物半导体层的第二区域中，并且所述第二区域是p型半导体区域。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
(d)经由栅极绝缘膜将栅电极形成在所述氮化物半导体层之上。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，
其中所述p型杂质是Mg且所述n型杂质是Si。
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