[发明专利]单行载流子光电二极管的收集区结构有效
| 申请号： | 201611152276.7 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN106409940B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 张戎;姚辰;符张龙;曹俊诚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/109 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种单行载流子光电二极管的收集区结构，所述收集区结构包括掺杂区和非掺杂区，其中，所述掺杂区靠近吸收区一侧。通过本发明提供的单行载流子光电二极管的收集区结构，解决了现有单行载流子光电二极管因空间电荷效应饱和电流较小的问题，进一步提升了单行载流子光电二极管的饱和电流。 | ||
| 搜索关键词： | 单行 载流子 光电二极管 收集 结构 | ||
【主权项】：
一种单行载流子光电二极管的收集区结构，其特征在于，所述收集区结构包括掺杂区和非掺杂区，所述掺杂区靠近吸收区一侧，所述掺杂区的掺杂浓度其中，d为掺杂区的掺杂浓度，最小掺杂浓度D＝1×1016/cm3，LC为收集区的长度，LD为掺杂区的长度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611152276.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
