[发明专利]单行载流子光电二极管的收集区结构

权利要求书

1.一种单行载流子光电二极管的收集区结构，其特征在于，所述收集区结构包括掺杂区和非掺杂区，所述掺杂区靠近吸收区一侧，所述掺杂区的掺杂浓度其中，d为掺杂区的掺杂浓度，最小掺杂浓度D＝1×10¹⁶/cm³，L_C为收集区的长度，L_D为掺杂区的长度。

2.根据权利要求1所述的单行载流子光电二极管的收集区结构，其特征在于，所述掺杂区的长度其中，最大掺杂浓度d_o＝1×10¹⁷/cm³。

3.根据权利要求1所述的单行载流子光电二极管的收集区结构，其特征在于，所述收集区的长度100nm≤L_C≤1μm。

4.根据权利要求1所述的单行载流子光电二极管的收集区结构，其特征在于，所述掺杂区为n型硅掺杂。

5.根据权利要求1所述的单行载流子光电二极管的收集区结构，其特征在于，所述收集区的材料为InP。

6.根据权利要求1所述的单行载流子光电二极管的收集区结构，其特征在于，所述单行载流子光电二极管包括依次相连的p型接触层、扩散阻挡层、吸收区、收集区、以及n型接触层。

7.根据权利要求6所述的单行载流子光电二极管的收集区结构，其特征在于，所述单行载流子光电二极管还包括过渡层以及亚接触层，所述过渡层连接于所述吸收区和所述收集区之间，所述亚接触层连接于所述收集区和所述n型接触层之间。