[发明专利]功率半导体器件中的电流测量有效
| 申请号： | 201611152008.5 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN106896255B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | J.巴伦舍恩;M.比纳;A.毛德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G01R19/25 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体器件中的电流测量。一种半导体器件（1），包括：第一负载端子（11）、第二负载端子（12）和耦合到第一负载端子（11）和第二负载端子（12）的半导体本体（10），其中，半导体本体（10）被配置成沿着第一负载端子（11）和第二负载端子（12）之间的负载电流路径传导负载电流。半导体器件（1）还包括：控制电极（131），与半导体本体（10）电绝缘并且被配置成控制负载电流路径的一部分；以及电浮动传感器电极（132），布置成与所述控制电极（131）相邻，其中，传感器电极（132）与半导体本体（10）和控制电极（131）中的每个电绝缘并且电容性耦合到负载电流路径。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 中的 电流 测量 | ||
【主权项】：
一种半导体器件（1），包括第一负载端子（11）、第二负载端子（12）和耦合到所述第一负载端子（11）和所述第二负载端子（12）的半导体本体（10），其中所述半导体本体（10）被配置成沿着所述第一负载端子（11）和所述第二负载端子（12）之间的负载电流路径传导负载电流，所述半导体器件（1）还包括：‑ 控制电极（131），与所述半导体本体（10）电绝缘并且被配置成控制所述负载电流路径的一部分；以及‑ 电浮动传感器电极（132），布置成与所述控制电极（131）相邻，其中，所述传感器电极（132）与所述半导体本体（10）和所述控制电极（131）中的每个电绝缘，并且电容性耦合到所述负载电流路径。
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