[发明专利]一种电子元件电极的制作方法及电子元件有效

专利信息
申请号: 201611146808.6 申请日: 2016-12-13
公开(公告)号: CN106783120B 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 余瑞麟;戴春雷;王亚珂 申请(专利权)人: 深圳顺络电子股份有限公司
主分类号: H01F41/00 分类号: H01F41/00;H01F27/29
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 代理人: 余敏
地址: 518110 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种电子元件电极的制作方法及电子元件,制作方法包括以下步骤S1,在用于制作电子元件的基板上铺设感光绝缘材料,并在所述感光绝缘材料上溅射金属材料,形成一层金属层;S2,在所述金属层上铺光阻剂;S3,对光阻剂进行曝光、显影,根据曝光时所使用的掩膜板中的电极图案去除电极图案区域以外的光阻剂;S4,蚀刻去除未被光阻剂覆盖的金属层;S5,去除金属层上的光阻剂;S6,铺设感光绝缘材料;S7,对感光绝缘材料进行曝光、显影;S8,电镀处理,在所述电极沟槽中电镀沉积金属材料,形成电极。本发明的制作方法可制得精细化的电极,且制得的电极的电导率较高,电极之间的填充也较致密。
搜索关键词: 一种 电子元件 电极 制作方法
【主权项】:
一种电子元件电极的制作方法,其特征在于:包括以下步骤:S1,在用于制作电子元件的基板上铺设感光绝缘材料,并在所述感光绝缘材料上溅射金属材料,形成一层金属层;S2,在所述金属层上铺光阻剂;S3,对光阻剂进行曝光、显影,根据曝光时所使用的掩膜板中的电极图案去除电极图案区域以外的光阻剂;S4,蚀刻去除未被光阻剂覆盖的金属层,保留光阻剂覆盖的金属层;S5,去除金属层上的光阻剂;S6,铺设感光绝缘材料;S7,对感光绝缘材料进行曝光、显影,根据步骤S3中的电极图案进行显影,去除电极图案区域对应的感光绝缘材料,在保留的感光绝缘材料之间形成电极沟槽;S8,电镀处理,在所述电极沟槽中电镀沉积金属材料,形成电极。
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