[发明专利]一种点阵式磁光电器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种点阵式磁光电器件及其制备方法，其制备方法包括光刻、离子注入和制作电极等步骤，本发明制备的点阵式磁光电器件是有图案的、周期性排列的、点阵式的，与磁电子器件相比，光电子器件的磁场线性响应既无需外加电场驱动，又具有高的灵敏度，这种在低磁场下的磁光电效应使得未来电子器件直接融入在磁、光、电各个领域，有可能具有广泛的应用的前景。

主权项

一种点阵式磁光电器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、选取GaAs进行光刻；步骤2、将步骤1中光刻好的GaAs进行离子注入，所述离子注入方法采用40 keV能量加速氮离子进行掺杂，得到点阵式GaAs器件；步骤3、制作电极，所述制作电极的步骤包括：步骤301、用磁控溅射台在步骤2制备的点阵式GaAs器件表面制备至少2个银电极；步骤302、将步骤301中制备了银电极的GaAs器件表面进行超声波清洗以去除光刻胶；步骤303、烘干步骤302清洗后的GaAs器件。