[发明专利]一种点阵式磁光电器件及其制备方法

权利要求书

1.一种点阵式磁光电器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、选取GaAs进行光刻；

步骤2、将步骤1中光刻好的GaAs进行离子注入，所述离子注入方法采用40 keV能量加速氮离子进行掺杂，得到点阵式GaAs器件；

步骤3、制作电极，所述制作电极的步骤包括：

步骤301、用磁控溅射台在步骤2制备的点阵式GaAs器件表面制备至少2个银电极；

步骤302、将步骤301中制备了银电极的GaAs器件表面进行超声波清洗以去除光刻胶；

步骤303、烘干步骤302清洗后的GaAs器件。

2.根据权利要求1所述的一种点阵式磁光电器件的制备方法，其特征在于，所述光刻包括以下步骤：

步骤101、分别用丙酮、无水乙醇和去离子水对GaAs表面进行超声清洗以去除灰尘和有机物；

步骤102、将步骤101中清洗后的GaAs放入烘箱以100℃烘烤1分钟以去除GaAs表面吸附的气体；

步骤103、将光刻胶滴入步骤102烘烤后的GaAs表面，采用转速3000转/分钟，匀胶一分钟；

步骤104、将步骤103中甩好胶的GaAs放入烘箱采用100℃烘烤1分钟以烘干胶体；

步骤105、对步骤104中烘烤后的GaAs进行曝光；

步骤106、将曝光好的GaAs放入烘箱以120℃烘烤2分钟；

步骤107、将步骤106中烘烤后的GaAs放入显影液显影。

3.根据权利要求1所述的一种点阵式磁光电器件的制备方法，其特征在于，步骤2中所述离子注入的深度为0.06μm，掺杂浓度为1×10¹⁵-1×10¹⁷atom/cm³。

4.根据权利要求1所述的一种点阵式磁光电器件的制备方法，其特征在于，所述步骤3中制作的电极厚度为30nm。

5.根据权利要求1或4所述的一种点阵式磁光电器件的制备方法，其特征在于，所述步骤302超声波清洗方法包括分别用丙酮、无水乙醇和去离子水对GaAs表面进行超声清洗。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法制备的一种点阵式磁光电器件，其特征在于，所述点阵式磁光电器件为点阵式结构。

7.根据权利要求6所述的一种点阵式磁光电器件，其特征在于，所述点阵式磁光电器件的每对电极间电压随外磁场的增大呈线性增大。