[发明专利]一种碳化硅宝石的生长方法有效
| 申请号： | 201611125976.7 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106757355B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 乔松;杨昆;高宇;郑清超 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人： | 郝学江 |
| 地址： | 071051 河北省保定市北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅宝石的生长方法，通过使用蜂窝状石墨衬底，该石墨衬底一面固定在坩埚上盖上，另一面与SiC粉料相对放置，可以同时生长多个SiC单晶颗粒；当石墨坩埚放入感应加热炉中进行SiC单晶生长，生长温度1800℃‑2400℃，生长压力1×10‑4Pa‑1×104Pa，得到的SiC颗粒直接用做SiC宝石原料。由此，得到SiC单晶颗粒可以直接作为宝石原料，不需要线切割处理，提高生产效率；无需使用线切割耗材且没有线切割造成的晶体损耗，提高晶体可用比例，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 线切割 生长 碳化硅宝石 宝石原料 单晶颗粒 蜂窝状石墨 感应加热炉 单晶生长 晶体损耗 生产效率 生长压力 石墨坩埚 相对放置 石墨衬 衬底 放入 粉料 耗材 可用 上盖 坩埚 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅宝石的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)使用的石墨衬底为蜂窝状，所述石墨衬底一边为平面结构，另一边为蜂窝状开孔结构，将所述石墨衬底的平面结构一面固定在坩埚上盖上；(2)SiC粉料放于石墨坩埚底部，坩埚上盖与SiC粉料相对放置，放入感应加热炉进行SiC单晶生长；(3)在SiC单晶生长过程中，生长温度保持在1800℃‑2400℃，生长压力1×10‑4Pa‑1×104Pa，同时，炉内通入惰性气体；(4)SiC粉料升华生成Si、Si2C和SiC2气相组分,气相组分逐步在蜂窝状石墨衬底开孔处沉积，得到SiC单晶颗粒。
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