[发明专利]一种碳化硅宝石的生长方法有效
| 申请号： | 201611125976.7 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106757355B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 乔松;杨昆;高宇;郑清超 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人： | 郝学江 |
| 地址： | 071051 河北省保定市北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 线切割 生长 碳化硅宝石 宝石原料 单晶颗粒 蜂窝状石墨 感应加热炉 单晶生长 晶体损耗 生产效率 生长压力 石墨坩埚 相对放置 石墨衬 衬底 放入 粉料 耗材 可用 上盖 坩埚 | ||
1.一种碳化硅宝石的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)使用的石墨衬底为蜂窝状，所述石墨衬底一边为平面结构，另一边为蜂窝状开孔结构，将所述石墨衬底的平面结构一面固定在坩埚上盖上；
(2)SiC粉料放于石墨坩埚底部，坩埚上盖与SiC粉料相对放置，放入感应加热炉进行SiC单晶生长；
(3)在SiC单晶生长过程中，生长温度保持在1800℃-2400℃，生长压力1×10-4Pa-1×104Pa，同时，炉内通入惰性气体；
(4)SiC粉料升华生成Si、Si2C和SiC2气相组分,气相组分逐步在蜂窝状石墨衬底开孔处沉积，得到SiC单晶颗粒。
2.如权利要求1所述的一种碳化硅宝石的生长方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述石墨衬底的蜂窝状开孔形状包括圆锥形、半圆形、长方形。
3.如权利要求1所述的一种碳化硅宝石的生长方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述石墨衬底的蜂窝状开孔结构的开孔深度为1mm-20mm，开孔直径与开孔深度比例为0.5:1-2:1。
4.如权利要求1所述的一种碳化硅宝石的生长方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述石墨衬底的材质为孔隙率≤10％的石墨。
5.如权利要求1所述的一种碳化硅宝石的生长方法，其特征在于，所述步骤(1)中，将所述石墨衬底的平面结构一面通过机械方式或者粘结方式固定在坩埚上盖上。
6.如权利要求1所述的一种碳化硅宝石的生长方法，其特征在于，所述步骤(3)中，所述惰性气体为氩气或氦气。
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