[发明专利]一种碳化硅单晶生长热场结构中的石墨板涂层的制备方法

摘要

本发明的碳化硅单晶生长热场结构中的石墨板涂层的制备方法，包括如下步骤：1)制备TaCl₅正丁醇溶液；2)将多孔石墨板放入真空炉内，进行升温；3)以惰性气体作为载气通入TaCl₅正丁醇溶液，所述惰性气体携带气态TaCl₅正丁醇溶液,通入所述真空炉的炉腔内；4)载气内的TaCl₅在发生分解，并与多孔石墨发生反应,生成TaC和Ta，用于在多孔石墨空隙表面形成致密的TaC和Ta混杂涂层；5)将步骤4)制备好的多孔石墨板放入真空炉内，煅烧5‑10小时；由于TaC镀层在高温下可以抗碳化硅蒸汽、硅蒸汽腐蚀，因此避免多孔石墨材料在碳化硅生长气氛下粉化，能在晶体生长全周期内起到更好的过滤原料中碳微粒的作用，从而进一步减少晶体内碳包裹物密度。

主权项

1.一种碳化硅单晶生长热场结构中的石墨板涂层的制备方法，其中，所述石墨板位于颗粒状原料的上方，用于过滤碳化硅蒸汽中的碳颗粒，其特征在于，所述涂层的制备方法包括如下步骤：1)制备TaCl5正丁醇溶液；2)将多孔石墨板放入真空炉内，进行升温；3)以惰性气体作为载气通入TaCl5正丁醇溶液，所述惰性气体携带气态TaCl5正丁醇溶液,通入所述真空炉的炉腔内；4)载气内的TaCl5发生分解，并与多孔石墨发生反应,生成TaC和Ta，用于在多孔石墨空隙表面形成致密的TaC和Ta混杂涂层；5)将步骤4)制备好的多孔石墨板放入真空炉内，煅烧5‑10小时，从而使原有的Ta在石墨体系内全部转化为TaC晶粒，并且和原有TaC晶粒在高温下逐步长大，并进一步致密化；6)将具有致密TaC涂层的多孔石墨板覆盖在碳化硅颗粒状原料表面，将原料与籽晶隔离后进行晶体生长。