[发明专利]测量方法在审
| 申请号： | 201611113180.X | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108168484A | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 王燕;刘源;保罗·邦凡蒂 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01B21/08 | 分类号： | G01B21/08;G01B21/30;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种测量方法。本发明提供的测量方法，包括提供待加工产品，所述待加工产品具有相对的第一面和第二面；测量所述待加工产品的初始厚度d1；在所述第一面上形成第一材料层，同时会在所述第二面上形成赘余材料层，所述赘余材料层的厚度小于0.3μm；测量所述第一材料层的厚度d2；测量所述待加工产品的最终厚度d3；计算所述赘余材料层的厚度Δd＝d3‑d2‑d1。由此，相比现有技术，可以达到简单快速的测量得到形成的赘余材料层的厚度，优化了测量过程，节省了时间、人力和物力，有助于高效生产。 1 | ||
| 搜索关键词： | 测量 待加工产品 材料层 第一材料 测量过程 高效生产 第二面 优化 | ||
【主权项】：
1.一种测量方法，包括：
提供待加工产品，所述待加工产品具有相对的第一面和第二面；
测量所述待加工产品的初始厚度d1；
在所述第一面上形成第一材料层，同时会在所述第二面上形成赘余材料层，所述赘余材料层的厚度小于0.3μm；
测量所述第一材料层的厚度d2；
测量所述待加工产品的最终厚度d3；
计算所述赘余材料层的厚度Δd＝d3‑d2‑d1。
2.如权利要求1所述的测量方法，其特征在于，采用双面平坦度检测方法获得所述初始厚度和所述最终厚度。3.如权利要求1所述的测量方法，其特征在于，采用FTIR获得所述第一材料层的厚度。4.如权利要求1所述的测量方法，其特征在于，在所述待加工产品上选择多个点进行每次厚度的测量。5.如权利要求4所述的测量方法，其特征在于，选择点数为13个，排列呈十字。6.如权利要求4所述的测量方法，其特征在于，相邻点之间的间距相同。7.如权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述待加工产品为硅片。8.如权利要求7所述的测量方法，其特征在于，所述第一材料层为外延层。
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