[发明专利]测量方法

说明书

本发明揭示了一种测量方法。本发明提供的测量方法，包括提供待加工产品，所述待加工产品具有相对的第一面和第二面；测量所述待加工产品的初始厚度d1；在所述第一面上形成第一材料层，同时会在所述第二面上形成赘余材料层，所述赘余材料层的厚度小于0.3μm；测量所述第一材料层的厚度d2；测量所述待加工产品的最终厚度d3；计算所述赘余材料层的厚度Δd＝d3‑d2‑d1。由此，相比现有技术，可以达到简单快速的测量得到形成的赘余材料层的厚度，优化了测量过程，节省了时间、人力和物力，有助于高效生产。

技术领域

本发明涉及半导体技术工艺领域，特别是涉及一种测量方法。

背景技术

例如在半导体加工生产过程中，光刻工艺是制约着产品质量的一个关键因素，能否进行精确的光刻，至关重要。

然而，硅片厚度的均匀性会直接影响到光刻过程。

如图1所示，通常会需要在硅片1正面上形成一层外延层，这一过程可以是将硅片1放置在基座2上。然而，硅片1经常会发生滑动，从而倾斜。于是，生长外延层的反应气体就可以从错开的缝隙3处侵入硅片1下方，进而在硅片1背面形成附带一层赘余外延层4，并且这层外延层4基本上是不均匀的，由此会对光刻过程产生影响。

另外，还存在着其他形式也会使得硅片上有着厚度不均匀的赘余外延层。例如对于研磨后的硅片，通常表面有一薄层氧化膜，在对一面进行氢气处理时，经常会在另一面形成一些针孔，从而在针孔中产生外延生长，这也会影响硅片厚度的均匀性。

但是，通常这些不需要的赘余外延层的厚度又很薄，难以直接检测到其具体厚度。

目前，已经存在多种方法来进行检测。例如公开号为US8409349B2的美国专利揭示了如下一种方法：

1、提供一硅片；

2、在硅片背面上形成辅助层；

3、测量辅助层的厚度；

4、在硅片正面上进行外延生长，此时在辅助层上会形成附带的赘余外延层；

5、再次测量辅助层的厚度；

6、两次测量的厚度差即为附带形成的赘余外延层的厚度。

但是，这一过程繁琐，需要形成专门的辅助层，成本较高。

有鉴于此，目前有需要一种新的测量方法，以改善上述的缺点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种测量方法，可以简单快速的测量附带形成的膜层的厚度。

为解决上述技术问题，本发明的提供一种测量方法，包括：

提供待加工产品，所述待加工产品具有相对的第一面和第二面；

测量所述待加工产品的初始厚度d1；

在所述第一面上形成第一材料层，同时会在所述第二面上形成赘余材料层，所述赘余材料层的厚度小于0.3μm；

测量所述第一材料层的厚度d2；

测量所述待加工产品的最终厚度d3；

计算所述赘余材料层的厚度Δd＝d3-d2-d1。

可选的，对于所述的测量方法，采用双面平坦度检测方法获得所述初始厚度和所述最终厚度。

可选的，对于所述的测量方法，采用FTIR获得所述第一材料层的厚度。

可选的，对于所述的测量方法，在所述待加工产品上选择多个点进行每次厚度的测量。

可选的，对于所述的测量方法，选择点数为13个，排列呈十字。