[发明专利]半导体测试结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201611111149.2 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN108155111B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体测试结构及其形成方法，其中半导体测试结构包括：半导体衬底，半导体衬底包括一个或多个测试区；鳍部，位于测试区的半导体衬底上；当所述测试区为多个时，相邻测试区的鳍部电学隔离；测试单元，分别位于测试区的半导体衬底上；所述测试单元包括：第一栅极结构，横跨所述鳍部、覆盖鳍部的部分侧壁表面和部分顶部表面；外延层，位于所述第一栅极结构两侧的鳍部顶部表面和侧壁表面；导电插塞，横跨所述鳍部、且位于所述第一栅极结构两侧外延层的顶部表面和侧壁表面。所述半导体测试结构能够精确表征待测试的鳍式场效应晶体管中器件导电插塞和源漏掺杂层的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体测试结构，其特征在于，包括：半导体衬底，半导体衬底包括一个或多个测试区；鳍部，位于测试区的半导体衬底上；当所述测试区为多个时，相邻测试区的鳍部电学隔离；测试单元，分别位于测试区的半导体衬底上；所述测试单元包括：第一栅极结构，横跨所述鳍部、覆盖鳍部的部分侧壁表面和部分顶部表面；外延层，位于所述第一栅极结构两侧的鳍部顶部表面和侧壁表面；导电插塞，横跨所述鳍部、且位于所述第一栅极结构两侧外延层的顶部表面和侧壁表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
