[发明专利]一种无铅有机无机阳离子共同杂化钙钛矿材料及其薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种无铅有机无机阳离子共同杂化钙钛矿材料及其薄膜的制备方法，所述无铅有机无机阳离子共同杂化钙钛矿材料由甲氨基或乙氨基等有机阳离子与Rb或Cs等无机阳离子共同杂化BiI3获得，并采用磁控溅射法制得无铅有机无机阳离子共同杂化钙钛矿薄膜。本发明涉及太阳能光电材料、半导体材料领域，以Bi取代Pb成为钙钛矿材料的中心离子，避免钙钛矿材料对环境的潜在污染，此外，Bi与有机无机阳离子共同杂化得到的钙钛矿材料具有较低的带隙，有利于电子跃迁，提高光电转化效率。

主权项

1.一种无铅有机无机阳离子共同杂化钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.将BiI₃、碘乙胺、RbI按化学计量比1:1.8~2.2:0.8~1.2配比混 合研磨15分钟，得到无铅有机无机阳离子共同杂化钙钛矿材料；S2.将步骤S1得到的钙钛矿材料放入模具中在5~150MPa压力下压制成钙钛矿靶材；S3.将步骤S2得到的钙钛矿靶材放入真空磁控溅射台进行磁控溅射，薄膜厚度达到50~1500nm后放气，得到无铅有机无机阳离子共同杂化钙钛矿薄膜。