[发明专利]一种晶界扩散Al‑Cu合金提高钕铁硼磁体耐蚀性的方法在审
| 申请号： | 201611101093.2 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN106783124A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 余红雅;邓晶;曾德长;郑志刚 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057;C23C10/26 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶界扩散Al‑Cu合金提高钕铁硼磁体耐蚀性的方法，属于稀土磁性材料领域。该方法将低熔点高电位Al‑Cu合金普通铸锭粗破、球磨后直接作为钕铁硼磁体的表面扩散源，经过扩散热处理和退火热处理，在钕铁硼磁体的晶界形成一层富Al‑Cu的薄层，从而获得高耐腐蚀性钕铁硼磁体。本发明以Al‑Cu合金作为扩散源，可以避免直接在铸锭中添加Al、Cu元素，非磁性Al、Cu进入主相产生磁稀释作用，降低磁体的剩磁；还能同时提高磁体的耐腐蚀性能和磁性能，因为晶界扩散能提高晶界相化学稳定性，优化显微结构，改善晶界相的分布，提高磁体密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 al cu 合金 提高 钕铁硼 磁体 耐蚀性 方法 | ||
【主权项】：
一种晶界扩散Al‑Cu合金提高钕铁硼磁体耐蚀性的方法，其特征在于，该方法将低熔点高电位Al‑Cu合金铸锭粗破、球磨后直接作为钕铁硼磁体的表面扩散源，经过扩散热处理，在钕铁硼磁体的晶界处形成一层富Al‑Cu相，使晶界相的电极电位提高，从而获得高耐蚀性钕铁硼磁体。
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