[发明专利]一种晶界扩散Al‑Cu合金提高钕铁硼磁体耐蚀性的方法

权利要求书

1.一种晶界扩散Al-Cu合金提高钕铁硼磁体耐蚀性的方法，其特征在于，该方法将低熔点高电位Al-Cu合金铸锭粗破、球磨后直接作为钕铁硼磁体的表面扩散源，经过扩散热处理，在钕铁硼磁体的晶界处形成一层富Al-Cu相，使晶界相的电极电位提高，从而获得高耐蚀性钕铁硼磁体。

2.根据权利要求1所述的一种晶界扩散Al-Cu合金提高钕铁硼磁体耐蚀性的方法，其特征在于，该方法包括以下工艺步骤：

(1)制备Cu含量为11-25%原子百分数的Al-Cu合金；

(2)将步骤(1)中的Al-Cu合金熔炼成铸锭，再粗破、球磨；

(3)将钕铁硼磁体浸没在球磨后所得的Al-Cu合金粉末中，用封管机密封，氩气保护，加热到高于该Al-Cu合金粉末熔点以上的100-200℃，使Al-Cu合金粉末熔融为液态，附着在钕铁硼磁体的表面，进行晶界扩散热处理；

(4)将步骤(3)中经过扩散热处理的样品进行退火热处理，得高耐蚀性钕铁硼磁体。

3.根据权利要求1所述的一种晶界扩散Al-Cu合金提高钕铁硼磁体耐蚀性的方法，其特征在于，步骤（2）所述球磨时球磨机的转速为200～400r/min，球磨的时间为5-15h。

4.根据权利要求1所述的一种晶界扩散Al-Cu合金提高钕铁硼磁体耐蚀性的方法，其特征在于，步骤（3）所述钕铁硼磁体是烧结态或烧结后并经过回火处理过。

5.根据权利要求1所述的一种晶界扩散Al-Cu合金提高钕铁硼磁体耐蚀性的方法，其特征在于，步骤（3）所述扩散热处理的温度为650-750℃，时间为1-5h。

6.根据权利要求1所述的一种晶界扩散Al-Cu合金提高钕铁硼磁体耐蚀性的方法，其特征在于，步骤（4）所述退火热处理的温度为500-550℃，时间为1-5h。