[发明专利]一种沟槽绝缘栅双极型晶体管

摘要

本发明提出了一种沟槽绝缘栅双极型晶体管,包括N‑型电压阻挡层、P型沟道区、P+欧姆接触区、N+发射区、P‑集电区、P+集电极区、N+衬底层以及沟槽栅极、栅氧介质层；其中，所述N‑型电压阻挡层和P型沟道区之间还存在一层N型电流增强层，所述的N‑型电压阻挡层与P型集电区之间存在一层N型缓冲层。该新结构背部具有一个由N‑型电压阻挡层、P‑集电区和N+衬底层组成的NPN晶体管，该NPN晶体管在器件关断过程中为N‑型电压阻挡层内存储的过量电子提供一个快速抽取的通道，减小器件的关断时间，从而减小器件的关断损耗，进而改善器件的通态压降与关断损耗之间的折衷关系。

主权项

一种沟槽绝缘栅双极型晶体管，特征在于：N‑型电压阻挡层上依次设有N型电流增强层、P型沟道区、由栅氧介质层和多晶硅栅电极构成的沟槽结构；所述的多晶硅栅电极通过栅氧介质层与所述的N+发射区、P型沟道区、N‑型电压阻挡层相隔离；P+欧姆接触区和N+发射区设置在P型沟道区上；沟槽结构下面设有P+电场屏蔽区；N型缓冲层设置在N‑型电压阻挡层下方，P‑集电区、P+集电区设置在N型缓冲层下方，N+衬底层设置在P‑集电区的下方，发射极电极位于P+欧姆接触区和N+发射区上面，并与P+欧姆接触区和N+发射区连接；所述集电极电极位于器件的底部，与N+衬底层和P+集电区相连接。