[发明专利]一种偏压温度不稳定性测试结构及测试方法在审
| 申请号： | 201611085832.3 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106597246A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 郑仲馗;曹巍 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种偏压温度不稳定性测试结构，包括奇数个串联的反相器，每一所述反相器包括一个PMOS管和一个NMOS管，其中，每一所述PMOS管和NMOS管的栅极、源极、漏极和体区均通过焊盘引出。本发明还提供了一种利用上述测试结构的偏压温度不稳定性测试方法，能够准确地测量出每个待测器件的偏压温度不稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 偏压 温度 不稳定性 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种偏压温度不稳定性测试结构，其特征在于，包括：N个串联的反相器，每一所述反相器包括一个PMOS管和一个NMOS管，其中，每一所述PMOS管和NMOS管的栅极、源极、漏极和体区均通过焊盘引出，N为大于1的奇数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611085832.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
