[发明专利]一种用于ESD保护的双向纵向NPN结构

摘要

一种用于ESD保护的双向纵向NPN结构，包括有P型衬底，其结构为：在P型衬底上设有DNW阱，在DNW阱两边设有NWell阱，中间设有PWell阱；一侧的NWell阱上部向上依次设有PESD区域和第一N+注入区，另一侧的NWell阱上部向上依次设有PESD区域和第二N+注入区；PWell阱上部，在PESD区域和第一N+注入区与PESD区域和第二N+注入区之间，设有STI区域。本发明通过上述结构，提供了一种用于ESD保护的双向纵向NPN结构，且不需要增加额外的二极管，减小了版图面积。

主权项

1.一种用于ESD保护的双向纵向NPN结构，包括有P型衬底（1），其特征在于：在P型衬底上设有DNW阱（2），在DNW阱（2）两边设有NWell阱（3），中间设有PWell阱（4）；一侧的NWell阱（3）上部向上依次设有PESD区域（5）和第一N+注入区（6），另一侧的NWell阱（3）上部向上依次设有PESD区域（5）和第二N+注入区（7）；PWell阱（4）上部，在PESD区域（5）和第一N+注入区（6）与PESD区域（5）和第二N+注入区（7）之间，设有STI区域（8）；所述的PESD区域（5）是一层P型ESD注入层，用于减小NPN的触发电压。