[发明专利]阻变式存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201611074755.1 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108123031B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 汪昌州;刘继全 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变式存储器及其制造方法。该制造方法包括：提供底部互连层；在所述底部互连层上形成底部电介质层，所述底部电介质层具有露出所述底部互连层的通孔；以及在所述通孔中形成底部电极层，所述底部电极层包括在所述底部互连层上选择性生长的第一电极。本发明中，底部电极层具有比较好的通孔填充能力。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变式 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变式存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供底部互连层；在所述底部互连层上形成底部电介质层，所述底部电介质层具有露出所述底部互连层的通孔；以及在所述通孔中形成底部电极层，所述底部电极层包括在所述底部互连层上选择性生长的第一电极。
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