[发明专利]阻变式存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种阻变式存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供底部互连层；

在所述底部互连层上形成底部电介质层，所述底部电介质层具有露出所述底部互连层的通孔；以及

在所述通孔中形成底部电极层，所述底部电极层包括在所述底部互连层上选择性生长的第一电极，其中，利用化学气相沉积工艺在所述底部互连层上选择性生长所述第一电极，在所述选择性生长的过程中，所述第一电极形成在所述底部互连层上，而不形成在所述底部电介质层上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一电极的材料包括：钴或钌。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺以下列条件执行：

在反应腔室中以10sccm至50sccm的气体流量通入反应气体C₇H₅CoO₂，在100℃至300℃的温度范围内，在0.1托至100托的气压范围内执行。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述底部电极层还包括：在所述第一电极上的第二电极。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述第二电极的材料包括：氮化钛、氮化钽或氮化钨。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述第二电极的厚度小于所述第一电极的厚度。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

所述第二电极的厚度为至

所述第一电极的厚度为至

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述底部电极层的厚度为至

9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

在所述通孔中形成底部电极层的步骤包括：

在所述底部互连层上形成选择性生长且填充所述通孔的一部分的第一电极；

在所述底部电介质层上和在所述第一电极上形成第二电极；以及

对所述第二电极执行平坦化以去除在所述底部电介质层上的所述第二电极的部分。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述底部电极层上形成数据存储层；以及

在所述数据存储层上形成顶部电极层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，

所述数据存储层包括：在所述底部电极层上的阻变功能层和在所述阻变功能层上的粘附层；其中，所述顶部电极层形成在所述粘附层上。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，

所述顶部电极层包括：在所述数据存储层上的金属电极层和在所述金属电极层上的顶部保护层。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，

所述金属电极层的材料包括：铝；

所述顶部保护层的材料包括：氮化钛、氮化钽或氮化钨。

14.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述顶部电极层上形成图案化的硬掩模层；

以所述图案化的硬掩模层作为掩模，蚀刻所述顶部电极层和所述数据存储层以形成图案化的顶部电极层和图案化的数据存储层；

去除所述硬掩模层；

形成阻挡层以覆盖所述图案化的顶部电极层和所述图案化的数据存储层；以及

形成穿过所述阻挡层并与所述顶部电极层连接的顶部互连层。