[发明专利]一种减少微系统金属界面封装键合缺陷的方法有效
| 申请号： | 201611073782.7 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106653629B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 宋晓辉;赵兰普;庄春生;王建业;乔彦超;李易聪;韩晓河;杨杰 | 申请（专利权）人： | 河南省科学院应用物理研究所有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 450000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种减少微系统金属界面封装键合缺陷的方法。本发明利用脉冲电流在键合缺陷处的集聚效应和焦耳热效应促进原子的扩散，并在外部载荷作用下实现缺陷愈合，进而减少封装键合缺陷。本发明所述方法工艺简单、操作方便，且在常温下实施，增强了键合工艺可靠性，在三维封装、微光机电系统制造等领域具有应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 系统 金属 界面 封装 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种减少微系统金属界面封装键合缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：A)向两个器件间的金属键合层施加力载荷，同时，在所述金属键合层的界面间连接周期性脉冲电流，且每个周期包括两个同幅反向电流脉冲，持续一定时间后断开电流；B)改变施加于所述金属键合层的力载荷的方向，同时，在所述金属键合层的界面间连接周期性脉冲电流，且每个周期包括两个同幅反向电流脉冲，持续一定时间后断开电流；C)重复步骤B)；在步骤A)或步骤B)中，所述力载荷与所述金属键合层的夹角为30°～90°；所述改变施加于所述键合层的力载荷的方向的角度变化不小于15°。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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