[发明专利]一种减少微系统金属界面封装键合缺陷的方法有效
| 申请号： | 201611073782.7 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106653629B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 宋晓辉;赵兰普;庄春生;王建业;乔彦超;李易聪;韩晓河;杨杰 | 申请（专利权）人： | 河南省科学院应用物理研究所有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 450000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 系统 金属 界面 封装 缺陷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种减少微系统金属界面封装键合缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：
A)向两个器件间的金属键合层施加力载荷，同时，在所述金属键合层的界面间连接周期性脉冲电流，且每个周期包括两个同幅反向电流脉冲，持续一定时间后断开电流；
B)改变施加于所述金属键合层的力载荷的方向，同时，在所述金属键合层的界面间连接周期性脉冲电流，且每个周期包括两个同幅反向电流脉冲，持续一定时间后断开电流；
C)重复步骤B)；
在步骤A)或步骤B)中，所述力载荷与所述金属键合层的夹角为30°～90°；
所述改变施加于所述键合层的力载荷的方向的角度变化不小于15°。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤A)或步骤B)中，所述力载荷的大小为0.5～3Mpa。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤A)或步骤B)中，所述施加力载荷的时间为60～120s，所述连接周期性脉冲电流的时间为2～5s。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤A)或步骤B)中，所述周期性脉冲电流幅值为10～100安培，脉宽为1～2毫秒，频率大于50赫兹。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，重复步骤B)的次数为2-10次。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河南省科学院应用物理研究所有限公司，未经河南省科学院应用物理研究所有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611073782.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包装桶（喜宝水漆4）
- 下一篇：包装桶（喜宝水漆3）
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
