[发明专利]基于MEMS工艺的硅基TEM波天线阵列及其制作方法有效
| 申请号： | 201611068533.9 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106374197B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 常乐;张志军;王绍东;高艳红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所;清华大学 |
| 主分类号： | H01Q1/36 | 分类号： | H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q21/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于MEMS工艺的硅基TEM波天线阵列及其制作方法，涉及波导天线技术领域。所述天线阵列包括从上到下依次固定连接在一起的天线层、窗口层和耦合能量层，所述天线层、窗口层和耦合能量层采用硅基介质基板制作，所述天线层的上表面设有两行以上且行内间隔设置的尺寸相同的矩形刻蚀区，所述天线层、窗口层和耦合能量层除侧面外设有金属层。所述天线阵列基于MEMS体微加工工艺中的贯穿式蚀刻和表面镀金工艺，在三层硅基介质基板上，利用两端短路的双导体TEM波传输线结合周期性的磁流抑制枝节的方式，得到了在宽频带内方向图稳定的高增益天线阵。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 mems 工艺 tem 天线 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于MEMS工艺的硅基TEM波天线阵列，其特征在于：包括从上到下依次固定连接在一起的天线层（1）、窗口层（2）和耦合能量层（3），所述天线层（1）、窗口层（2）和耦合能量层（3）采用硅基介质基板制作，所述天线层（1）的上表面设有两行以上且行内间隔设置的尺寸相同的矩形刻蚀区（4），所述窗口层（2）的上表面设有矩形窗口（5），在X轴方向上，所述天线层（1）上最左侧的矩形蚀刻区（4）的左边缘与所述矩形窗口（5）的左边缘对齐，所述天线层（1）上最右侧的矩形蚀刻区（4）的右边缘与所述矩形窗口（5）的右边缘对齐；在Y方向上，所述矩形蚀刻区（4）的上边缘与所述矩形窗口（5）的上边缘对齐，所述矩形蚀刻区（4）的下边缘与所述矩形窗口（5）的下边缘对齐，所述天线层（1）、窗口层（2）和耦合能量层（3）除侧面外设有金属层。
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