[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底结构，包括位于衬底上的一个或多个半导体鳍片；位于鳍片上的栅极结构；位于鳍片中在栅极结构至少一侧的有源区；以及至少覆盖有源区的层间电介质层；在层间电介质层和栅极结构之上形成硬掩模层；利用图案化的掩模通过刻蚀形成在有源区上方的穿过硬掩膜层并延伸到层间电介质层的一部分中的第一接触孔；在第一接触孔的侧壁上形成侧壁电介质层，以部分填充第一接触孔。由于采用非自对准工艺生成上半部分接触孔并在孔壁上形成侧壁电介质层，以侧壁电介质层作为掩模刻蚀生成下半部分接触孔，能够有效避免接触件与栅极之间发生的漏电，并且使得栅极之间的电容较小。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底；位于所述衬底上的一个或多个半导体鳍片；位于所述鳍片上的栅极结构；位于所述鳍片中在所述栅极结构至少一侧的有源区；以及至少覆盖所述有源区的层间电介质层；在所述层间电介质层和所述栅极结构之上形成硬掩模层；利用图案化的掩模通过刻蚀形成在所述有源区上方的穿过所述硬掩膜层并延伸到所述层间电介质层的一部分中的第一接触孔；在所述第一接触孔的侧壁上形成侧壁电介质层，以部分填充所述第一接触孔；以所述侧壁电介质层作为掩模，刻蚀所述第一接触孔的底部的层间电介质层，以形成延伸至所述有源区的第二接触孔。