[发明专利]一种铋基卤化物钙钛矿纳米片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611053447.0 申请日: 2016-11-25
公开(公告)号: CN108101381B 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 胡延强;张树芳;苗晓亮;邱婷;白帆;张陈明 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: C03C17/22 分类号: C03C17/22;C03C17/28;C03C17/34;C03C17/42
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 邹伟红;朱显国
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种铋基卤化物钙钛矿纳米片及其制备方法,将钙钛矿前驱液A3Bi2I9采用旋转涂膜法涂覆在表面洁净的基底上;将基底处于极性溶剂气氛中于100‑110℃下进行退火处理;退火处理一段时间后在基底上制得所述的二维钙钛矿纳米片。本发明通过利用极性溶剂实现对薄膜的后处理‑‑溶解‑再结晶,制备出来的二维钙钛矿纳米片不仅形状均一,大小均匀,而且相比目前已报导的制备铅基钙钛矿纳米片的方法,更加简便易行,制备的单层或者少层的二维钙钛矿纳米片的厚度最小达到2.0±0.2nm,从而更好的利用二维材料固有的空间限制效应而导致其具有更长的光生载流子寿命,因此具有更优的光电响应性能。
搜索关键词: 一种 卤化物 钙钛矿 纳米 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种二维钙钛矿纳米片,其特征在于,由如下步骤制备:将钙钛矿前驱液A3Bi2I9采用旋转涂膜法涂覆在表面洁净的基底上;将基底处于极性溶剂气氛中于100-110℃下进行退火处理;退火处理一段时间后在基底上制得所述的二维钙钛矿纳米片。
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