[发明专利]一种铋基卤化物钙钛矿纳米片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611053447.0 申请日: 2016-11-25
公开(公告)号: CN108101381B 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 胡延强;张树芳;苗晓亮;邱婷;白帆;张陈明 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: C03C17/22 分类号: C03C17/22;C03C17/28;C03C17/34;C03C17/42
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 邹伟红;朱显国
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 卤化物 钙钛矿 纳米 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种二维钙钛矿纳米片,其特征在于,由如下步骤制备:

将钙钛矿前驱液A3Bi2I9采用旋转涂膜法涂覆在表面洁净的基底上;将基底处于极性溶剂气氛中于100-110℃下进行退火处理8-22min;退火处理一段时间后在基底上制得所述的二维钙钛矿纳米片,二维钙钛矿纳米薄膜单层厚度最小达到2.0±0.2 nm,其中,在基底上滴加极性溶剂,或在基底四周滴加极性溶剂,使极性溶剂充满基底四周,造成所述的极性溶剂气氛;钙钛矿前驱液A3Bi2I9中的A= CH3NH3+或Cs+;当钙钛矿前驱液A3Bi2I9中的A= CH3NH3+时,极性溶剂为甲醇;当钙钛矿前驱液A3Bi2I9中的A= Cs+时极性溶剂为甲醇和DMF的混合溶液,其中,甲醇和DMF的体积比为10:1~50:1。

2.如权利要求1所述的纳米片,其特征在于,钙钛矿前驱液中的溶剂为N,N-二甲基酰胺。

3.如权利要求1所述的纳米片,其特征在于,所述基底为普通玻璃、FTO或者ITO导电玻璃。

4.二维钙钛矿纳米片的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

将钙钛矿前驱液A3Bi2I9采用旋转涂膜法涂覆在表面洁净的基底上;将基底处于极性溶剂气氛中于100-110℃下进行退火处理8-22min;退火处理一段时间后在基底上制得所述的二维钙钛矿纳米片,二维钙钛矿纳米薄膜单层厚度最小达到2.0±0.2 nm,其中,在基底上滴加极性溶剂,或在基底四周滴加极性溶剂,使极性溶剂充满基底四周,造成所述的极性溶剂气氛;钙钛矿前驱液A3Bi2I9中的A= CH3NH3+或Cs+;当钙钛矿前驱液A3Bi2I9中的A= CH3NH3+时,极性溶剂为甲醇;当钙钛矿前驱液A3Bi2I9中的A= Cs+时极性溶剂为甲醇和DMF的混合溶液,其中,甲醇和DMF的体积比为10:1~50:1。

5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,钙钛矿前驱液中的溶剂为N,N-二甲基酰胺。

6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述基底为普通玻璃、FTO或者ITO导电玻璃。

7.如权利要求4-6任一所述的方法制备的纳米片作为柔性忆阻器存储单元的阻变层的应用。

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