[发明专利]一种MRAM环境适应性的测试方法在审
| 申请号： | 201611049399.8 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106782670A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 吴非;石鑫;谢长生;管希东 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙)42224 | 代理人： | 方可 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MRAM环境适应性的测试方法，属于计算机存储领域，MRAM环境适应性的测试方法中，使用温控箱和磁场设备对MRAM存储设备进行处理，模拟实际使用环境，通过读取MRAM存储设备的值来考量存储设备的错误行为特征，并重复上述步骤，以获取MRAM在不同温度和磁场强度下的环境适应性特征。本发明所述MRAM环境适应性的测试方法，具有测试方法简单快捷，指导性强，适应性广等特点，有效确保存储系统的可靠性和安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mram 环境 适应性 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种MRAM环境适应性的测试方法，所述测试方法基于温控箱，磁场设备，MRAM存储设备，FPGA硬件和Windows主机端；其特征在于，所述测试方法包括下述步骤：(1)对所述温控箱的温度进行预先指定，并采用温控箱对MRAM存储设备进行处理，将处理后的MRAM存储设备以子卡形式装置于FPGA硬件平台；(2)对经指定温度处理过的MRAM存储设备进行读测试；(3)对经指定温度处理过的MRAM存储设备进行写测试；(4)改变对MRAM存储设备处理的温度，重复步骤(1)～(3)，获取不同温度环境下存储设备的可靠性特征，并根据所述不同温度环境下存储设备的可靠性特征获得临界温度；(5)将步骤(1)～(4)中所有的温控箱和温度参数更换为磁场设备和磁场强度参数，并重复步骤(1)～(4)后获取不同磁场环境下存储设备的可靠性特征，并根据不同磁场环境下存储设备的可靠性特征获得临界磁场强度。
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