[发明专利]一种MRAM环境适应性的测试方法

权利要求书

1.一种MRAM环境适应性的测试方法，所述测试方法基于温控箱，磁场设备，MRAM存储设备，FPGA硬件和Windows主机端；其特征在于，所述测试方法包括下述步骤：

(1)对所述温控箱的温度进行预先指定，并采用温控箱对MRAM存储设备进行处理，将处理后的MRAM存储设备以子卡形式装置于FPGA硬件平台；

(2)对经指定温度处理过的MRAM存储设备进行读测试；

(3)对经指定温度处理过的MRAM存储设备进行写测试；

(4)改变对MRAM存储设备处理的温度，重复步骤(1)～(3)，获取不同温度环境下存储设备的可靠性特征，并根据所述不同温度环境下存储设备的可靠性特征获得临界温度；

(5)将步骤(1)～(4)中所有的温控箱和温度参数更换为磁场设备和磁场强度参数，并重复步骤(1)～(4)后获取不同磁场环境下存储设备的可靠性特征，并根据不同磁场环境下存储设备的可靠性特征获得临界磁场强度。

2.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在步骤(1)中，温度或磁场强度均以细粒度的增长方式进行指定。

3.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述可靠性特征包括读写错误行为特征。

4.如权利要求1-3任一项所述的测试方法，其特征在于，步骤(2)具体为：

(2.1)对预先设定的MRAM数据区域写入指定数据，并记录数据内容且锁定该区域，使该区域不能再进行写操作；

(2.2)对该数据区域进行读操作，将读出的数据与写入的原始数据进行比对，记录测试结果；

(2.3)重复步骤(2.2)至10亿次以获取MRAM存储设备在温度影响下的读错误行为特征。

5.如权利要求1-3任一项所述的测试方法，其特征在于，步骤(3)具体为：

(3.1)对预先设定的MRAM数据区域写入指定数据，并记录数据内容；

(3.2)在写操作完成后，对该数据区域进行读操作，将读出的数据与写入的原始数据进行比对，记录测试结果；

(3.3)重复步骤(3.1)～(3.2)至10亿次以获取MRAM存储设备在温度影响下的写错误行为特征。

6.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，步骤(4)中，根据不同温度环境下存储设备的可靠性特征获得临界温度具体为：温度由低至高，按序升高，存储设备首次出现读写错误时的温度即为临界温度。

7.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，步骤(5)中，根据不同磁场环境下存储设备的可靠性特征获得临界磁场强度具体为：磁场强度由小至大，按序增大，存储设备首次出现读写错误时的磁场强度即为临界磁场强度。