[发明专利]一种制备铁硒超导体的方法有效

专利信息
申请号: 201611046060.2 申请日: 2016-11-22
公开(公告)号: CN108083237B 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 李达;李少杰;潘德胜;李勇;韩拯;耿殿禹;刘伟;张志东 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;B82Y40/00
代理公司: 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 代理人: 崔晓蕾
地址: 110015 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明提供了一种制备具有四方晶体结构的铁硒(β‑FeSe)超导体的方法,该方法采用可溶解的铁和硒的前驱体为原材料,与适量具有还原性的有机溶剂、氢氧化钠以及表面活性剂在反应釜中混合。在无氧环境下密封后,混合物被加热到反应温度,保温一定时间,可以获得具有超导电性的β‑FeSe超导纳米片。该方法工艺简单、制备温度低、反应时间短,原料无毒无害,能够合成厚度为10‑200纳米,边长为500纳米至十几微米的四方晶体结构β‑FeSe片状超导材料,可用于制备纳米尺度超导器件。
搜索关键词: 一种 制备 超导体 方法
【主权项】:
1.一种制备具有四方晶体结构铁硒超导体的方法,其特征在于:采用溶剂热法制备所述铁硒超导体,制备原材料为可溶解于有机溶剂的铁和硒的前驱体。
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