[发明专利]具有电容结构的LED芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201611041004.X | 申请日： | 2016-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN106784173B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 王磊;陈立人;张广庚 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有电容结构的LED芯片及其制备方法，所述LED芯片包括：N型半导体层、多量子阱发光层、P型半导体层、以及N电极和P电极，所述N电极与N型半导体层电性连接，P电极与P型半导体层电性连接，所述LED芯片电性连接有电容结构，所述电容结构包括平行且间隔设置的第一导电层和第二导电层、以及位于第一导电层和第二导电层之间的介电材料层，所述第一导电层与P电极电性连接，所述第二导电层与N电极电性连接，电容结构中的第一导电层和第二导电层与LED芯片的P电极和N电极并联设置。本发明通过在LED芯片上增加电容结构，电容结构可以对LED芯片起到保护作用，能够滤除纹波，防止浪涌冲击，提高LED芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电容 结构 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有电容结构的LED芯片，所述LED芯片包括：N型半导体层、多量子阱发光层、P型半导体层、以及N电极和P电极，所述N电极与N型半导体层电性连接，P电极与P型半导体层电性连接，其特征在于，所述LED芯片电性连接有电容结构，所述电容结构包括平行且间隔设置的第一导电层和第二导电层、以及位于第一导电层和第二导电层之间的介电材料层，所述第一导电层与P电极电性连接，所述第二导电层与N电极电性连接，电容结构中的第一导电层和第二导电层与LED芯片的P电极和N电极并联设置；所述N型半导体层上形成有绝缘介质层，所述第一导电层形成于绝缘介电层上，且第一导电层与N型半导体层绝缘设置。
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