[发明专利]具有电容结构的LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种具有电容结构的LED芯片，所述LED芯片包括：N型半导体层、多量子阱发光层、P型半导体层、以及N电极和P电极，所述N电极与N型半导体层电性连接，P电极与P型半导体层电性连接，其特征在于，所述LED芯片电性连接有电容结构，所述电容结构包括平行且间隔设置的第一导电层和第二导电层、以及位于第一导电层和第二导电层之间的介电材料层，所述第一导电层与P电极电性连接，所述第二导电层与N电极电性连接，电容结构中的第一导电层和第二导电层与LED芯片的P电极和N电极并联设置；

所述N型半导体层上形成有绝缘介质层，所述第一导电层形成于绝缘介电层上，且第一导电层与N型半导体层绝缘设置。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型半导体层上设有电流阻挡层及透明导电层，所述电流阻挡层位于透明导电层下方，所述P电极位于透明导电层上且通过透明导电层与P型半导体层电性连接，所述第一导电层通过透明导电层与P电极电性连接。

3.一种具有电容结构的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底，并在衬底上外延生长N型半导体层、多量子阱发光层、P型半导体层；

刻蚀部分外延层至N型半导体层形成N台阶；

在N台阶沉积绝缘介电层，以及在P型半导体层上沉积电流阻挡层；

在绝缘介电层上生长第一导电层，以及在P型半导体层及电流阻挡层上生长透明导电层；

在第一导电层上沉积介电材料层，以及在透明导电层上方及两侧生长钝化层；

在介电材料层上生长第二导电层；

在透明导电层上未被钝化层覆盖处生长P电极，以及在N台阶上生长N电极。

4.根据权利要求3所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述绝缘介电层与电流阻挡层的材料相同，绝缘介电层与电流阻挡层采用一步工艺沉积形成。

5.根据权利要求3所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一导电层与透明导电层的材料相同，第一导电层与透明导电层采用一步工艺生长形成。

6.根据权利要求3所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述介电材料层与钝化层的材料相同，介电材料层与钝化层采用一步工艺沉积形成。