[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201611039598.0 | 申请日： | 2016-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN106601882B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 金雅馨;万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂GaN层、N型层、有源层、P型层，外延片还包括改善层，改善层包括交替层叠的SiN层和GaN层，改善层设置在未掺杂GaN层和N型层之间、或者设置在N型层和有源层之间。本发明通过在未掺杂GaN层和N型层之间、或者在N型层和有源层之间设置改善层，改善层包括交替层叠的SiN层和GaN层，交替层叠的SiN层和GaN层为超晶格结构，可以有效地释放应力，从而减少有源层的缺陷，提高晶体质量，进而改善外延片的性能和可靠性，提高外延片所制造芯片的反向电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂GaN层、N型层、有源层、P型层，其特征在于，所述外延片还包括改善层，所述改善层包括交替层叠的SiN层和GaN层，所述改善层设置在所述未掺杂GaN层和所述N型层之间、或者设置在所述N型层和所述有源层之间；所述改善层包括依次层叠的第一改善子层、第二改善子层、第三改善子层，所述第一改善子层、所述第二改善子层、所述第三改善子层均包括交替层叠的SiN层和GaN层，所述第一改善子层中的SiN层中Si组分含量高于所述第二改善子层中的SiN层中Si组分含量，所述第二改善子层中的SiN层中Si组分含量低于所述第三改善子层中的SiN层中Si组分含量。
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