[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂GaN层、N型层、有源层、P型层，其特征在于，所述外延片还包括改善层，所述改善层包括交替层叠的SiN层和GaN层，所述改善层设置在所述未掺杂GaN层和所述N型层之间、或者设置在所述N型层和所述有源层之间；

所述改善层包括依次层叠的第一改善子层、第二改善子层、第三改善子层，所述第一改善子层、所述第二改善子层、所述第三改善子层均包括交替层叠的SiN层和GaN层，所述第一改善子层中的SiN层中Si组分含量高于所述第二改善子层中的SiN层中Si组分含量，所述第二改善子层中的SiN层中Si组分含量低于所述第三改善子层中的SiN层中Si组分含量。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一改善子层中、所述第二改善子层中、所述第三改善子层中的SiN层的层数均为三层以上，所述第一改善子层中、所述第二改善子层中、所述第三改善子层中的GaN层的层数均为三层以上。

3.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述改善层的厚度为200埃以上。

4.一种发光二极管的外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一蓝宝石衬底；

在所述蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、成核层、未掺杂GaN层、改善层、N型层、有源层、P型层；

其中，所述改善层包括交替层叠的SiN层和GaN层；

所述改善层包括依次层叠的第一改善子层、第二改善子层、第三改善子层，所述第一改善子层、所述第二改善子层、所述第三改善子层均包括交替层叠的SiN层和GaN层，所述第一改善子层中的SiN层中Si组分含量高于所述第二改善子层中的SiN层中Si组分含量，所述第二改善子层中的SiN层中Si组分含量低于所述第三改善子层中的SiN层中Si组分含量。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述改善层的生长温度为1000℃以上。

6.一种发光二极管的外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一蓝宝石衬底；

在所述蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、成核层、未掺杂GaN层、N型层、改善层、有源层、P型层；

其中，所述改善层包括交替层叠的SiN层和GaN层；

所述改善层包括依次层叠的第一改善子层、第二改善子层、第三改善子层，所述第一改善子层、所述第二改善子层、所述第三改善子层均包括交替层叠的SiN层和GaN层，所述第一改善子层中的SiN层中Si组分含量高于所述第二改善子层中的SiN层中Si组分含量，所述第二改善子层中的SiN层中Si组分含量低于所述第三改善子层中的SiN层中Si组分含量。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述改善层的生长温度为1000℃以上。