[发明专利]半导体器件在审

专利信息
申请号: 201611035882.0 申请日: 2016-11-22
公开(公告)号: CN107039362A 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: 松原义久 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L23/31
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 李兰,孙志湧
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种半导体器件。半导体器件的性能得到改善。将石墨烯颗粒混合添加到覆盖半导体芯片的密封树脂中。石墨烯颗粒因此混合添加到密封树脂中,由此改善了密封树脂的热传导,因此可以改善半导体器件的辐射性能。石墨烯是具有单层厚度的sp2键合碳原子的板。石墨烯具有这样的结构,其中,平面扩展六角形栅格,每个六角形栅格由碳原子和碳原子的键形成。石墨烯因为其热导率高和重量轻而优选用作传热填料。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,包括:半导体芯片;以及覆盖所述半导体芯片的树脂材料,所述树脂材料包含树脂和石墨烯颗粒。
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