[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体芯片；以及

覆盖所述半导体芯片的树脂材料，

所述树脂材料包含树脂和石墨烯颗粒。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述石墨烯颗粒的颗粒尺寸为10到500μm。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述树脂材料中的所述石墨烯颗粒的含量为40到70体积％。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述树脂材料中的所述石墨烯颗粒的所述含量为60到70体积％。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述树脂材料包含钾离子。

6.一种半导体器件，包括：

衬底；

半导体芯片，所述半导体芯片经由凸块电极耦合到所述衬底上；以及

在所述衬底和所述半导体芯片之间设置的底部填充材料，

所述底部填充材料包含树脂和石墨烯颗粒。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述石墨烯颗粒的颗粒尺寸为1到100μm。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述底部填充材料中的所述石墨烯颗粒的含量为30体积％或更少。

9.一种半导体器件，包括：

半导体芯片；

覆盖所述半导体芯片的树脂材料；以及

嵌入在所述树脂材料中的热沉，

其中，所述热沉包括堆叠的多个石墨烯片，

其中，所述热沉安装在所述半导体芯片上，使得所述石墨烯片被设置在与所述半导体芯片的表面相交的方向上，以及

其中，所述热沉从所述树脂材料的表面暴露。

10.一种半导体器件，包括：

半导体芯片；

覆盖所述半导体芯片的树脂材料；以及

嵌入在所述树脂材料中的热沉，

其中，所述热沉包括碳纳米管块，所述碳纳米管块由被缠绕并且经受热处理的超生长胶带形成，

其中，所述热沉安装在所述半导体芯片上，使得所述碳纳米管设置在与所述半导体芯片的表面相交的方向上，以及

其中，所述热沉从所述树脂材料的表面暴露。

11.一种半导体器件，包括：

半导体芯片；

覆盖所述半导体芯片的树脂材料；以及

嵌入在所述树脂材料中的热沉，

其中，所述热沉包括石墨块，所述石墨块由被缠绕并且经受热处理的二维石墨胶带形成，

其中，所述热沉安装在所述半导体芯片上，使得所述石墨的层被设置在与所述半导体芯片的表面相交的方向上，以及

其中，所述热沉从所述树脂材料的表面暴露。

12.一种半导体器件，包括：

半导体芯片；

覆盖所述半导体芯片的树脂材料；以及

嵌入在所述树脂材料中的热沉，

其中，所述热沉包括石墨块，所述石墨块由堆叠的多个石墨层形成，

其中，所述热沉被设置为与所述半导体芯片的侧面相接触，使得所述石墨的层被设置在与所述半导体芯片的侧面相交的方向上，以及

其中，所述热沉从所述树脂材料的表面暴露。

13.一种半导体器件，包括：

半导体芯片；

覆盖所述半导体芯片的树脂材料；以及

嵌入在所述树脂材料中的第一热沉和第二热沉，

其中，所述第一热沉和所述第二热沉中的每个包括石墨块，所述石墨块由堆叠的多个石墨层形成，

其中，所述第一热沉安装在所述半导体芯片上，使得所述石墨的层被设置在与所述半导体芯片的表面相交的方向上，

其中，所述第二热沉设置为与所述半导体芯片的侧面相接触，使得所述石墨的层被设置在与所述半导体芯片的侧面相交的方向上，以及

其中，所述第一热沉和所述第二热沉中的每个都从所述树脂材料的表面暴露。