[发明专利]一种基于各向异性磁电阻效应的单轴MEMS加速度计有效
| 申请号： | 201611031239.0 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN106706959B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 杨先卫;潘礼庆;王超;罗志会;谭超;刘敏;朴红光;鲁广铎;许云丽;黄秀峰;郑胜;赵华;张超 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王加贵 |
| 地址： | 443000*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于各向异性磁电阻效应的单轴MEMS加速度计，所述单轴MEMS加速度计包括：晶圆框体，所述晶圆框体的内部空间为封闭的框室；支撑梁，所述支撑梁设置于所述框室内，且所述支撑梁的一端连接在所述框室的横框内壁上；检验质量块，所述检验质量块设置在所述支撑梁的另一端；磁源，所述磁源设置在所述框室的竖框内壁上；AMR芯片，所述AMR芯片安装于所述检验质量块上，所述AMR芯片的中心与所述磁源的中心在同一水平线上，使得所述AMR芯片的磁敏感方向与所述磁源的磁矩方向相同，且所述检验质量块的位移方向与磁矩方向在同一条直线上，以保证AMR芯片只感受到单一方向的磁场。本发明单轴MEMS加速度计可提高加速度的测量精度和测量范围。 | ||
| 搜索关键词： | 检验质量块 支撑梁 磁源 单轴 芯片 框室 各向异性磁电阻效应 晶圆框 磁矩 内壁 测量 同一水平线 同一条直线 芯片安装 一端连接 磁敏感 横框 竖框 磁场 室内 封闭 保证 | ||
【主权项】：
1.一种基于各向异性磁电阻效应的单轴MEMS加速度计，其特征在于，所述单轴MEMS加速度计包括：晶圆框体，所述晶圆框体的内部空间为封闭的框室；支撑梁，所述支撑梁设置于所述框室内，且所述支撑梁的一端连接在所述框室的横框内壁上；检验质量块，所述检验质量块设置在所述支撑梁的另一端；磁源，所述磁源设置在所述框室的竖框内壁上；各向异性磁电阻传感器芯片，所述各向异性磁电阻传感器芯片安装于所述检验质量块上，所述各向异性磁电阻传感器芯片的中心与所述磁源的中心在同一水平线上，使得所述各向异性磁电阻传感器芯片的磁敏感方向与所述磁源的磁矩方向相同，且所述检验质量块的位移方向与磁矩方向在同一条直线上，以保证各向异性磁电阻传感器芯片只感受到单一方向的磁场。
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