[发明专利]一种基于各向异性磁电阻效应的单轴MEMS加速度计有效
| 申请号： | 201611031239.0 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN106706959B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 杨先卫;潘礼庆;王超;罗志会;谭超;刘敏;朴红光;鲁广铎;许云丽;黄秀峰;郑胜;赵华;张超 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王加贵 |
| 地址： | 443000*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 检验质量块 支撑梁 磁源 单轴 芯片 框室 各向异性磁电阻效应 晶圆框 磁矩 内壁 测量 同一水平线 同一条直线 芯片安装 一端连接 磁敏感 横框 竖框 磁场 室内 封闭 保证 | ||
1.一种基于各向异性磁电阻效应的单轴MEMS加速度计，其特征在于，所述单轴MEMS加速度计包括：
晶圆框体，所述晶圆框体的内部空间为封闭的框室；
支撑梁，所述支撑梁设置于所述框室内，且所述支撑梁的一端连接在所述框室的横框内壁上；
检验质量块，所述检验质量块设置在所述支撑梁的另一端；
磁源，所述磁源设置在所述框室的竖框内壁上；
各向异性磁电阻传感器芯片，所述各向异性磁电阻传感器芯片安装于所述检验质量块上，所述各向异性磁电阻传感器芯片的中心与所述磁源的中心在同一水平线上，使得所述各向异性磁电阻传感器芯片的磁敏感方向与所述磁源的磁矩方向相同，且所述检验质量块的位移方向与磁矩方向在同一条直线上，以保证各向异性磁电阻传感器芯片只感受到单一方向的磁场。
2.根据权利要求1所述的基于各向异性磁电阻效应的单轴MEMS加速度计，其特征在于，所述支撑梁为微悬臂梁，所述微悬臂梁包括固定端和可移动端，所述固定端固定连接在所述横框内壁上，所述可移动端与所述检验质量块连接。
3.根据权利要求1所述的基于各向异性磁电阻效应的单轴MEMS加速度计，其特征在于，所述支撑梁为简支梁，所述检验质量块连接于简支梁的中部，所述简支梁的两端分别连接在所述横框内壁上。
4.根据权利要求3所述的基于各向异性磁电阻效应的单轴MEMS加速度计，其特征在于，所述简支梁的竖直中心线重合。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的基于各向异性磁电阻效应的单轴MEMS加速度计，其特征在于，所述支撑梁沿所述磁源的磁矩方向的厚度小于所述支撑梁垂直于所述磁矩方向的厚度，使得在加速度作用下，所述支撑梁所连接的所述检验质量块能够沿所述磁矩方向所在的直线产生位移。
6.根据权利要求1所述的基于各向异性磁电阻效应的单轴MEMS加速度计，其特征在于，所述磁源为微型永磁体或微型通电线圈。
7.根据权利要求6所述的基于各向异性磁电阻效应的单轴MEMS加速度计，其特征在于，所述微型永磁体为通过镀膜方法制备永磁体薄膜，再磁化所述永磁体薄膜制得。
8.根据权利要求1所述的基于各向异性磁电阻效应的单轴MEMS加速度计，其特征在于，所述晶圆外框、支撑梁的材料为非磁性的绝缘材料或非磁性的高电阻率半导体材料，所述检验质量块的材料为非磁性材料。
9.根据权利要求8所述的基于各向异性磁电阻效应的单轴MEMS加速度计，其特征在于，所述晶圆框体、支撑梁和检验质量块是在晶圆上通过光刻蚀、离子刻蚀或化学腐蚀而成。
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