[发明专利]一种自对准双层图形结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201611021575.7 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN106531722A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 刘哲;潘如豪;杜硕;李俊杰;顾长志 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/311;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙)11391 | 代理人： | 范晓斌,薛峰 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种自对准双层图形结构及其制备方法，属于二维微纳器件制造领域。该方法包括提供一基底，分别在基底的上表面和下表面施加光刻胶，以形成第一和第二光刻胶层；按照预定图形用选定能量束对第一光刻胶层进行曝光，其中，能量束选择成能穿过基底，从而在对第一光刻胶层进行曝光的同时对第二光刻胶层进行曝光，以在第一和第二光刻胶层中形成形状一致且相互对准的光刻胶图形；在基底的上表面和下表面分别沉积材料；去除第一和第二光刻胶层，以获得与光刻胶图形对应的自对准双层图形结构。本发明还提供了一种自对准双层图形结构。本发明方案可以获得精确对准的双层图形，为双层甚至多层纳米尺寸图形的制备提供了一种新的技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 双层 图形 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准双层图形结构的制备方法，包括如下步骤：提供一基底，并分别在所述基底的上表面和下表面处施加光刻胶，以形成第一和第二光刻胶层；按照预定图形用选定能量束对所述第一光刻胶层进行曝光，其中，所述能量束选择成能穿过所述基底，从而在对所述第一光刻胶层进行曝光的同时对所述第二光刻胶层进行曝光，以在所述第一和第二光刻胶层中分别形成形状一致且相互对准的光刻胶图形；在所述基底的上表面和下表面分别沉积材料；去除所述第一和第二光刻胶层，以获得由所述材料在所述基底的上表面和下表面形成的与所述光刻胶图形对应的所述自对准双层图形结构。
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